近日，我校许小红教授、薛武红教授及其合作者在滑移电子学领域取得重要进展，研究成果以“Emergence of sliding ferroelectricity in naturally parallel-stacked multilayer ReSe2 semiconductor”为题，发表在国际知名期刊《Nature Communications》上。

随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，探索新材料、新机制、新效应等成为后摩尔时代信息技术发展的关键。滑移铁电体作为一种新兴材料体系，其铁电机制源于层间滑移，具有低滑移势垒和优异的抗疲劳性，克服了对极性点群材料的依赖，避免了传统铁电体面临的临界尺寸效应、抗疲劳特性差等的问题，成为下一代低功耗信息存储与处理技术的有力候选者。然而，现有滑动铁电体系多依赖复杂的人工堆叠和特定的生长工艺，极大地限制了其实际应用。

许小红教授团队在天然平行堆叠的多层(N≥3) ReSe2双极性半导体中发现了独特的滑移铁电性，铁电性源于任意中间原子层的滑移（图1），这与之前报道的N≥2的滑移铁电体不同，突破了依赖人工堆叠的局限，为探索新型滑移铁电体提供了新研究视角。

图1-ReSe₂铁电性的理论分析

此外，ReSe2展现出可编程的铁电光伏效应，且可实现零功耗的光电流读出（图2），为构筑超低功耗光电子信息器件提供了新技术路径。

图2-ReSe₂铁电性的实验验证和可编程铁电光伏效应

薛武红教授、王鹏博士、次文娟博士为论文的共同第一作者，许小红教授为论文的共同通讯作者。该研究工作得到国家自然科学基金、国家重点研发计划等项目的资助。